ミネベアの圧力計/圧力センサ(圧力伝送器・圧力変換器)

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ミネベアの圧力計

ミネベアは次の様な製品を生産・販売しています。

	圧力伝送器 (アンプ内蔵)		半導体ひずみゲージ方式(SOSセンサ)
			箔ひずみゲージ方式
	圧力変換器 (アンプ別置)		半導体ひずみゲージ方式(SOSセンサ)
			箔ひずみゲージ方式

SOS式圧力伝送器(半導体ひずみゲージ方式)

シリコン・オン・サファイア(Silicon on Sapphire : SOS) 技術とは・・・

サファイア(Al2O3単結晶)基板上にシリコン薄膜を形成(エピタキシャル成長)させたものです。この薄膜を用いたシリコン半導体ひずみゲージは電気抵抗線その物がサファイア基板に原子的に結合しており、物理的、電気的に極めて安定した理想的なセンサを構成します。

●高精度

ダイアフラムの素材であるサファイアはアルミ酸化物の単結晶であり、応答性が高く、直線性とヒステリシス特性に極めて優れます。

●高信頼性

シリコン半導体ひずみゲージはサファイア基板に原子結合しているため、極めて安定した特性と高い信頼性を保ちます。負圧側の負荷特性も正圧側と同レベルに維持されるので、高精度の連成圧が測定可能です。

●高耐熱性

通常のシリコン基板はPN接合により電気的な絶縁を形成するので、120℃以上の高温においては接合部のリーク電流が増大し、センサとしての使用が不可能になります。
SOS技術におけるサファイア基板はそれ自体が高絶縁体であり、350℃の高温環境下でもセンサとしての使用が可能です。（NS403/NS413シリーズ）
※PN接合： p型半導体とn型半導体との接合

●水素ガス適合性

サファイアは水素ガス適合性に優れ、透過・脆化の問題を解決します。

SOSセンサは直圧式を採用

感度部が直に接液し、SOSセンサの優れた応答性を最大限に引き出す直圧式です。(アンプ内蔵の応答性は1kHz)。耐食性を目的とした隔壁ダイアフラムを設けておりませんので、酸、アルカリ、ハロゲンなど圧力媒体によってはご使用に適さない場合があります。

圧力伝送器(箔ひずみゲージ方式)

ASIC（Application Specific I.C.）アンプを搭載し、温度影響が少なく、耐ノイズに優れた高機能型の圧力伝送器です。低消費電流ひずみゲージの採用と、機械的に優れた構造・材質のダイアフラムにより、高精度・高安定性を発揮します。

●高精度・高信頼性

17-4PH（SUS630）の起歪体（ダイアフラム）に、低消費電流・自己温度補償型の新開発ひずみゲージを使用し、高精度・高信頼性を実現します。

●温度特性が大幅に向上

温度補償範囲内（－20℃～70℃）では、温度変化に関係なく±1.0%F.S.以内の温度特性を有し、温度特性を含んだ総合精度は格段に向上しています。

●高安定性

圧力感度部（ダイアフラム）は圧力導入口と削り出し一体構造であり、優れた耐疲労性を維持します。
社内評価においては、150%F.S.の圧力で100万回のサイクル試験を実施し、試験前後の変化量は±0.3%F.S.以内です。

●電気特性

電気回路は外来ノイズ成分などに対し、極めて影響を受け難い特性を有します。

SOS式圧力変換器(半導体ひずみゲージ方式)

SOS技術による高精度・高信頼性・高耐熱性などは上記の圧力伝送器と同様です。
応答性は別置きのアンプ(CSA-522)との接続時には、25kHzとなります。

圧力変換器(箔ひずみゲージ方式)

一般用、高圧用、高応答用、高・低温用の各種圧力変換器を提供します。

●温度特性に優れたひずみゲージ式

受圧部には自己温度補償ゲージを使用しています。測定中に温度変化が生じても殆どその影響を受けることなく、正確な圧力を検出することが出来ます。

●低圧力用から高圧力用まで各種を用意

最小1MPaの低圧力用から最大500MPaの高圧力用まで各種取り揃えており、用途に最も適したセンサをお選び頂けます。

●動的圧力現象に忠実に追従

金属ダイアフラムの固有振動数に応じて、動的圧力現象に忠実に追従します。(応答性は固有振動数の1/3を目安にします。)